SK하이닉스, 용인 반도체 클러스터 1기 팹 본격 착공…2027년 가동

지난 21일 용인시의 건축 허가가 승인됨에 따라, 용인 반도체 클러스터에 건설되는 SK하이닉스 1기 팹이 본격 착공에 들어갔다.

용인 반도체 클러스터는 총 415만m2 (약 126만 평) 규모 부지에 SK하이닉스 팹 약 60만 평, 소부장 업체 협력화단지 14만 평, 인프라 부지 12만 평으로 용인시 처인구 원삼면에 조성되는 반도체 산업단지이다.

이곳에 SK하이닉스는 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이며, 첫 번째 팹은 ’27년 5월 준공 목표로 건설해 나갈 예정이다.

SK하이닉스 용인캠퍼스는 HBM을 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로서 급증하는 AI 메모리 반도체 수요에 적기에 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도할 예정이다.

이와 더불어, 클러스터 내 50여 개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정이다.

한편 최태원 SK 회장은 지난 2023년 용인 반도체 클러스터를 찾아 "용인 클러스터는 SK하이닉스 역사상 가장 계획적이고도 전략적으로 추진되는 프로젝트"라고 격려한 뒤 "클러스터 성공을 위한 경쟁력을 확보하는데 최선을 다해 달라"라고 밝혔다. 

최 회장은 "우선 효율성이 제일 좋아야 한다. 지금까지 해오던대로 하는 것 이상의 도전이 필요하다"면서 "앞으로 이 자리에서 경쟁력을 계속 유지하려면 어떤 것을 미리 생각하고 반영하느냐가 과제이며, 이 부분이 미래 SK하이닉스의 경쟁력 척도가 될 것"이라고 했다.